收藏本站
IRLR/U3715ZCPbF
Static @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
BV DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
20
–––
–––
V
V GS = 0V, I D = 250μA
?Β V DSS / ? T J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
13
–––
mV/°C Reference to 25°C, I D = 1mA
R DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
8.8
11
m ?
V GS = 10V, I D = 15A
–––
12.4
15.5
V GS = 4.5V, I D = 12A
V GS(th)
? V GS(th) / ? T J
I DSS
Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage Coefficient
Drain-to-Source Leakage Current
1.65
–––
–––
2.1
-4.8
–––
2.55
–––
1.0
V
mV/°C
μA
V DS = V GS , I D = 250μA
V DS = 16V, V GS = 0V
–––
–––
150
V DS = 16V, V GS = 0V, T J = 125°C
I GSS
gfs
Q g
Q gs1
Q gs2
Q gd
Q godr
Q sw
Q oss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
C iss
C oss
C rss
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Pre-Vth Gate-to-Source Charge
Post-Vth Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain Charge
Gate Charge Overdrive
Switch Charge (Q gs2 + Q gd )
Output Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
33
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
7.2
2.3
0.90
2.6
1.4
3.5
3.8
7.8
13
10
4.3
810
270
150
100
-100
–––
11
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
nA
S
nC
nC
ns
pF
V GS = 20V
V GS = -20V
V DS = 10V, I D = 12A
V DS = 10V
V GS = 4.5V
I D = 12A
See Fig. 16
V DS = 10V, V GS = 0V
V DD = 10V, V GS = 4.5V
I D = 12A
Clamped Inductive Load
V GS = 0V
V DS = 10V
? = 1.0MHz
Avalanche Characteristics
Parameter
Typ.
Max.
Units
E AS
I AR
E AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
–––
–––
–––
19
12
4.0
mJ
A
mJ
Diode Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
Continuous Source Current
–––
–––
49
MOSFET symbol
D
(Body Diode)
A
showing the
I SM
Pulsed Source Current
–––
–––
200
integral reverse
G
(Body Diode)
p-n junction diode.
S
V SD
t rr
Q rr
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
–––
–––
–––
–––
11
3.5
1.0
17
5.3
V
ns
nC
T J = 25°C, I S = 12A, V GS = 0V
T J = 25°C, I F = 12A, V DD = 10V
di/dt = 100A/μs
t on
2
Forward Turn-On Time
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD)
www.irf.com
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IRLR3717TRLPBF MOSFET N-CH 20V 120A DPAK
IRLR3802TRLPBF MOSFET N-CH 12V 84A DPAK
IRLR4343TRPBF MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
IRLR7821CTRRPBF MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
IRLR8503TRLPBF MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
IRLR8503TRR MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
IRLR8715CPBF MOSFET N-CH 25V 51A DPAK
IRLS640A MOSFET N-CH 200V 9.8A TO-220F
相关代理商/技术参数
IRLR3715ZCTRPBF 功能描述:MOSFET MOSFET, 20V, 49A, 11 mOhm, 7.2 nC Qg, Logic Level, D-Pak RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLR3715ZHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 49A 3-Pin(2+Tab) DPAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 49A 3PIN DPAK - Bulk
IRLR3715ZPBF 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 7.2nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLR3715ZTR 功能描述:MOSFET N-CH 20V 49A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRLR3715ZTRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 49A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
IRLR3715ZTRL 功能描述:MOSFET N-CH 20V 49A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRLR3715ZTRLHR 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 49A 3PIN DPAK - Tape and Reel
IRLR3715ZTRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 20V 49A 11mOhm 7.2nC Qg log lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube